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L'efficienza manifatturiera dell'India unita a competenze avanzate su semiconduttori SiC/GaN, calcolo termico e normative UL.
⭐ Avvolgimento senza rocchetto in Nomex®
Componenti avvolti direttamente su nastro isolante Nomex senza rocchetto plastico: massimo fattore di riempimento del rame, eccellente dissipazione termica e isolamento Classe H (180 °C).
⭐ Prototipazione rapida con stampa 3D
Realizziamo rocchetti e supporti custom in-house tramite stampa 3D. Potrete testare campioni fisici perfettamente dimensionati in pochi giorni, prima di aprire gli stampi di produzione.
⭐ Nuclei Nanocristallini e Ferriti evolute
Induttanze di modo comune ad elevata permeabilità per massima attenuazione EMI in spazi compatti. Dimensionamento ottimizzato contro saturazione precoce e perdite parassite.
⭐ Ottimizzazione HF (Filo Litz & TIW)
Controllo rigoroso dell'effetto pelle e dell'effetto prossimità ad alta frequenza con filo Litz, filo a triplo isolamento (TIW) conforme a requisiti di isolamento rinforzato e piattina di rame.
⭐ Calcolo accurato del salto termico (ΔT)
Ogni progetto viene simulato per perdite nel rame e nel nucleo rispetto al target termico, garantendo funzionamento stabile e affidabilità continua nel tempo.
⭐ Filiera diretta e diversificazione geografica
Fornitura diretta di materie prime senza intermediari e una concreta alternativa (Second-Source) per ridurre il rischio concentrazione verso Cina o Taiwan.
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Messe München · Padiglione A5, Stand 534 · Riferimento prenotazione:
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